张汝京领会，拉着邱慈云去一边：「老邱啊，以前没有认可你的路线是我的问题，你看，季明华，周梅生，涂良山这些你的老部下，我都提拔到工程副总裁，厂长.……」
俩人聊着走远。留下梁孟松，盯着那个空荡荡的超洁净室，忽然道：「你确定下个月资金能到位，我就请张总联系aml下新的订单了，等机器到了我还要做很多改动，需要些时间，最好能一次拿三台，定制套件会方便一些。」
「没问题。」陈学兵笃定道。
说着，心里又是惊叹。
这神人居然还能改aml的新机器。
「对了，你那天说t1900做fnft至少要三台联动，如果……aml下一代浸没式出来，单次曝光的制程节点更进一步，那就不需要这麽多机器了吧？」
：
「不能。」梁孟松打量了他一眼，道：「我已经解释过了，需要多台机器这是工序问题，多重曝光的原理是把一个复杂图形拆分成多个简单图形，更好的光刻机只是能让每个工序做更快一些，提高总体产出。」
梁孟松说到这里又再打量他，眼神里有些疑色。
「而且t1900在单次曝光制程上已经很难进步，快到极限了，你不知道？」
陈学兵有点懵了。
我又不是专家，上哪知道去？
而且……这才2007年，你跟我说极限？「不可能吧？不是听说aml在研究下一代吗？」
梁孟松见他瞪眼加迷茫，这才细细解释道：
「光刻机的精度提升，离不开一个公式，叫瑞利判据。
「计算公式为=k?×λ/na，是单次曝光的线宽，k?是工艺因子，λ是波长，na是数值孔径。
「需要线宽更小，就必须减小分子，扩大分母，分子k?目前的进步十分缓慢，λ波长是193nm，af光源，这也无法更改了。
「而分母，数值孔径na=n×nθ，θ是物镜最边缘光线与中轴线的半角，n是介质的折射率。
「浸没式光刻机的光介质是水，折射率比空气大很多，约等於1.44，而这台机器的第二代折反式光学镜头已经把θ拉到了大约70°，n70°≈0.937，na已经达到了1.35，差不多逼近极限了。
「所以，下一代光刻机，大概率只能从套刻精度上下功夫，提升多重曝光的能力，而单次曝光的极限很难提升了。」
这次梁孟松讲很慢，而且很细，陈学兵边听边想，仍皱眉头。
「那个.……水介质，也就是浸没式，不是降低光源波长来提升制程吗？怎麽变成提升na值了？」
：
「.……」梁孟松的眼神和陈学兵对上，陈学兵恍惚间看到了他中午对着王兴一般的无语。
不，好像还要更无语。
「你从哪学的伪科学？光源的波长进入任何物质都不会被改变，这是七年级物理课内容。」
「.……我学文科的，再说我们大陆课程和你们不一样，初二才有物理，能搞懂乾式和浸没式的区别就不错了。」陈学兵强行挽尊。
「好吧。」梁孟松倒也没有纠结，反而赞赏起来：「也是，你这样的投资人愿意了解这些，不多见。」
陈学兵口罩下重新微笑，心里也逐渐清晰起来。
「那工艺因子k?，听起来是和工艺相关？是各个厂家的技术决定吧？」
「对，这是很多技术决定的，拿65nm节点来说，中芯目前应该0.4-0.45之间，而台积电能达到0.32-0.35，所以中芯的65nm节点实际线宽可能是68nm，台积电65nm节点的实际线宽可以达到56nm，双方同代下会有性能差，不过这个问题你不用担心，我会逐步调整的，而且0.25就是理论极限，想继续逼近极限非常难，成熟节点的落差最终不会太大。」
陈学兵听着，有了判断。
那这个k?确实很难产生很大进步了。
波长不能变，na接近极限。
除了通过提升套刻精度搞更多重的曝光，v已经难有提升了。他这麽一想，对v就愈发有危机感。
v光源的波长缩短十几倍，分子不是一下就缩小了十几倍？
「v……你了解吗？」陈学兵试探着问道。
他之前问过张汝京同样的问题，到的是否定的答案。
：
梁孟松则迟疑了一下：「v？你想问什麽？」
他一时没有思路，只能顺着刚才的话题问道：「v……也是靠这个公式进步吗？」
「是，不过v那样的光源，na值达不到这麽大，首先它波长太短，在任何介质下都会被吃掉，所以传播必须是真空，无法通过水提高折射率，连透镜折射都不行，只能反射，所以它的目标na值是0.33，很难提升。」
其实这个0.33还有一番算法，梁孟松也不再细讲了，直接给了个答案。